大原です。長い夏休みを取らせて頂きました。ご無沙汰しておりました。今回から、携帯関連銘柄の整理整頓をしたいと思っております。今回はその第一弾です。

　先日、携帯用のＲＦモジュールを製造している工場を訪問しました。携帯のＲＦ部は、電波を信号に変える受信部と音声を電波に変える送信部からなります。今回の訪問は、その送信部のキーパーツであるパワーアンプ（ＰＡ）ユニットの製造工程を見てきました。

　ＰＡユニットは３つのトランジスタ（Ｔｒ）と２０数個のコンデンサーと数個の抵抗をセラミック（３〜６層）基板に実装します。今は、ＧＳＭとＤＣＳのデュアル機が主流です。デュアルですと、ＧＳＭ方式、ＤＣＳ方式それぞれにＰＡが必要になるため、Ｔｒも受動部品数も倍必要になります。１年前は、デュアルは主流でなかったことを考えると、現在の受動部品の活況も理解できます。

　さて、携帯のベースバンドで音声を信号に変えると、その出力は１ｍＷ程度です。これでは、１０ｍしか、電波は飛びません。そこで、２Ｗ程度まで出力を上げる機能として、ＰＡが必要になります。ＧＳＭは電波の位相のみが重要（振幅を問わない）で、Ｓｉ−ＭＯＳというやや特殊なＴｒが主流です。欧州以外ではガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ベースのバイポーラＴｒがよく使われます。ただし、ガリウムヒ素は、ＷＢ−ＣＤＭＡ（ＩＭＴ２０００）から、欧州でも使われます。その際は、ＧＳＭ、ＤＣＳ、ＷＢＣＤＭＡのトリプル方式のＰＡになります。ですから、ＧａＡｓのバイポーラＰＡは期待大です。なぜなら、巨大なＧＳＭ市場が初めてＧａＡｓＴｒを受け入れるのですから。また、受動部品もＰＡ周りだけで数十個必要になるのですから、受動部品メーカーにとっても結構な話です。

　なぜ、こう長々とＰＡについて書くのかというと、今回のＰＡユニット製造に携帯電話事業の本質を見たからです。ご存知のように、一枚のウエハーから数千個のＴｒが取れます。しかし、Ｔｒの特性というものは同じウエハーから出来ても、取れる場所によって違ってしまいます。そのため、設計図通りにコンデンサーなどを配置しても、ＰＡユニットは動かない。ＰＡユニット製作には、Ｔｒの特性を見越して、最適容量のコンデンサーを選択するという調整の手間がかかります。このノウハウは、受動部品、セラミック基板、Ｔｒのそれぞれのメーカーにあり、残念ながら、携帯を作るセットメーカーにはありません。そのため、この会社のＰＡユニットの利益率は３０％を超えています。この利益を取り込めないというのは、セットメーカーの泣き所です。セットメーカー自らが実装して、動かなかった場合、わずか３％のＰＡのために、携帯１台まるまるだめになってしまいます。セットメーカーにはダメになったＲＦモジュールを再び生かすノウハウがない。そこでモジュールごと買うしかない。モジュールメーカーが３０％以上の利益を取ってしまっていても。

　さて、これが何を意味するのでしょうか。受動部品とセラミック基板を併せ持つ部品メーカーが携帯の組み立てをすれば、大きな利益率が確保できる。携帯の組み立てのみでは、利益率が確保できない。ですから、セットメーカーのノキアよりはセットメーカーでありながら部品も手がける京セラのほうが、高い利益率を達成する可能性が高い。京セラには、将来の厳しい競争に打ち勝つ根拠があるのです。株価はノキア以上に高く評価されても可笑しくないということです。

　工場見学のもうひとつの目的は、ＲＦ部でシリコンがどれだけの機能を集積できるのかを確認することでした。ちまたでは、ＳｉＧｅのＢｉＣＭＯＳなどが騒がれています。ＳｉＧｅとは、シリコンゲルマニウムのチップのことで、これは主にバイポーラーＴｒです。ＧａＡｓより、高機能ということと、Ｓｉウエハー上でＧｅをエピ成長されるため、Ｓｉプロセスが生かせるため、低コストであることが大きな魅力となっています。
　そのため、一部からは、ＳｉＧｅがＲＦ部全体のＴｒを集積し、さらに周辺の受動部品までシリコン上に作りこむという話も出ており、ＲＦのワンチップ化というとんでもないことが起こりうるかもしれない。確かに、受信部ではＶＣＯなど取り込んでいくという話もあります。

　そのあたりのお話を設計の方にお聞きしたところ、送信側については、まだまだＳｉＧｅが出る幕はないとのこと。第一に、特性上の問題（不安定）、設計上の問題、ユニットとして、前述の調整が難しいという歩留まりの問題など、問題山積とのこと。私が思うに、周辺受動部品をＩＣに取り込むことも、わざわざ高価な半導体プロセスを使ってやる意味があるのか疑問である。おまけに、シリコンの受動素子は温度特性などに問題が多い。ＩＣ化されたＶＣＯが特性が悪いことは有名（ＶＣＯは受信部の機能のひとつで、受信した周波数とＶＣＯが発振している周波数とを比べて、両者の周波数が同じときに、その信号をベースバンドプロセッサーに送り込むという機能です）。

　また、最近では、セラミック多層基板が周辺の受動部品を内部に作りこむという話もよく出ます。しかし、デュプレクサー（送信電波だけを通したり受信電波だけを通したりする機能）ではセラミックは10〜20層にもなるのが、ＰＡでは高い出力が必要な分、パッケージ基板も大きくなり、基板は数層に過ぎません。20層の基板に数層で事足りるＰＡ基板を作るというのは、「新宿の土地に大根を植える」ような非効率が生じることになってしまうのです。それぞれの機能のセラミックパッケージ特性が大きく異なることから、セラミックが受動部品を集積していくという話は、大変困難。

　要するに、今回のＳｉＧｅのＲＦワンチップの話も、セラミック万能の話も、それをやろうと思えば出来るようになるというだけでのことでかなり非現実的です。高機能ＲＦの本来の趣旨は、今後は高速のバイポーラＴｒが必要になってくるということです。それはＰＡではＧａＡｓであり、受信部ではＳｉＧｅであるということです。

　なぜ、工場見学をするのか、なぜ、技術者に直接会って、話を聞きにいくのか、それは、こうした工場見学や技術者との議論によって、多くの株式投資に関するヒントが得られるからです。

以下は、今回の訪問で確信したことです。

（１）ＧａＡｓ
　まず、巷で言われている、ＧａＡｓはなくなる、というのは真っ赤なうそ。（新日本無線、日立電線、住友電工、富士通などのＧａＡｓ関連は安泰）

（２）セラミック基板と受動部品（抵抗、コンデンサー）
　受動部品はセラミック基板に取り込めるがコストにあわない。村田の特許・回路技術と他社と大きな差がある。受動部品を減らすというよりは、従来１００μＦ必要だったが、基板を改良して、５０μＦのコンデンサーを実装するだけでよくなった、というような、増えつづける受動部品の数を抑制するような機能に留まるはず。したがって、受動部品メーカーへ悲観的になる必要はない。現に村田は抵抗は内部に作る気がない。コンデンサーについても低容量のものだけである。ＷＢ−ＣＤＭＡで端末はデュアルからトリプルとなり、受動部品の需要は必ず増える。

（３）セットメーカー
　モジュール化を部品メーカー主導で許してしまったら、セットメーカーの出る幕はなくなってしまう。なぜ、ＰＡユニットの利益率が３０％もあるのに、携帯メーカーの利益率は大きく劣るのか。松下通信の利益率は今後大きく向上できるのか。そういう意味では、各モジュールの調整能力がある京セラ（ＶＣＯの説明を３月に書いたと思いますが）がノキアや松下通信より高く評価されても可笑しくない。そうなるとＥＶ／ＥＢＩＴＤＡ倍率で２０倍以上が期待できます。つまり、村田の２万円もありえるが、京セラの２万５千円もありうる。京セラは楽しみな銘柄のひとつです。それにしても、今回の村田の急騰は迫力がありましたね。

（４）株式市場
　なぜ、株式市場は極端な話に流されるのか？なぜ、送信部も含めＳｉＧｅがすべてのＲＦを集積するというなどとバカなことを信じる者が出るのか、なぜ、セラミック多層基板がすべての受動部品を飲み込んでいくという想定する者がいるのか？
　有力な証券会社のアナリストや日経の記者にこういう極端な意見が多いので、正直、非常に疲れる。まじめな、事業会社にとって非常に迷惑であり、株主にとっても迷惑。

Ｐ．Ｓ．　直近の村田のコラム、もっと強気に書くべきだったでしょうか。今週、さらに、大手多層セラミック基板メーカーの事業部長と携帯ＲＦ部門の今後の戦略について面談予定です。熱い携帯シリーズを続けます。また、抵抗器大手の工場見学も明日予定しております。お楽しみに。